IGBTモジュールは、省エネルギー、便利な取り付け、安定した放熱などの特性を備えています。優れたパフォーマンスを発揮し、作業において「大きな責任」を負います。品質が十分でない場合、チップまたはモジュール全体のユーティリティが失われるか、寿命が短くなり、デバイス全体、さらには製品にさえ影響を与えます。 通常の操作。 IGBT内部では、過度の動作温度によるIGBTモジュールの通常の動作に影響を与えないように、温度監視と温度制御にNTCサーマルチップが必要です。

IGBTの潜在的な問題を発見し、隠れた危険を見つけるために、IGBTの信頼性テストを実行する必要があります。これは、製品の信頼性をより深く理解し、製品の開発速度を促進し、プロセスフローを最適化し、製品品質を向上させるのに役立ちます。 。 信頼性の観点から、IGBTモジュールの一般的な故障モードには、チップの故障とモジュールの経年劣化の故障が含まれます。 チップの故障の主な原因には、過熱、過電圧、過電流などがあります。たとえば、過熱は、高い周囲温度、不適切な温度保護ポイントの設定、不適切な温度保護、過大な電流、および過大なデバイスの損失によって引き起こされます。 IGBTモジュールの経年劣化は、主にモジュールの電極端子、ハウジングの溶接層、チップボンディングワイヤの問題が原因です。 たとえば、モジュールのはんだ層の経年劣化は、温度サイクル、温度衝撃、パワーサイクルによって判断できます。

IGBTモジュールの過熱問題を考慮して、モジュールの過熱保護にはラジエーター（通常のラジエーターとヒートパイプラジエーターを含む）が一般的に使用され、強制空冷が可能です。 高精度NTCサーミスタチップをIGBTモジュールに取り付けると、電源モジュールの定常状態のケース温度（TC）を効果的に検出できます。 さまざまなIGBTモジュールに応じて、IGBTモジュールのケース温度を測定するために使用されるNTCサーミスタチップは、同じセラミック基板（DCB）に直接パッケージ化できます。 IGBTモジュールのケース温度の測定プロセスをより効率的かつ便利にします。

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